|
APTM100H80FT1G — MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1
Производитель | Microsemi-PPG |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 9A, 10V |
Напряжение (Vdss) | 1000V (1kV) |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Ток @ 25°C | 11A |
Емкость @ Vds | 3876pF @ 25V |
Полярность | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Особенности | Стандарт |
Мощность макcимальная | 208W |
Тип монтажа | Chassis Mount |
Корпус | SP1 Module |
|
|