Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

 

APTM100H45FT3G — MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3

ПроизводительMicrosemi-PPG
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs540 mOhm @ 9A, 10V
Напряжение (Vdss)1000V (1kV)
Gate Charge (Qg) @ Vgs154nC @ 10V
Ток @ 25°C18A
Емкость @ Vds4350pF @ 25V
Полярность4 N-Channel (H-Bridge)
ОсобенностиСтандарт
Мощность макcимальная357W
Тип монтажаChassis Mount
КорпусSP3
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APTM100H45STGMicrosemi-PPGMOSFET FULL BRIDGE SER/PAR SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 18A  ·  Емкость @ Vds: 4350pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
APTM100H45SCTGMicrosemi-PPGMOSFET FULL BRIDGE SER/SIC SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 154nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 18A  ·  Емкость @ Vds: 4350pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «APTM100H45FT3G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте