Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PMGD370XN,115PMGD370XN,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
Серия: TrenchMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 740mA  ·  Емкость @ Vds: 37pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 410mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PMGD400UN,115PMGD400UN,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
Серия: TrenchMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 710mA  ·  Емкость @ Vds: 43pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 410mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PMGD280UN,115PMGD280UN,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363
Серия: TrenchMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 870mA  ·  Емкость @ Vds: 45pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PMGD290XN,115PMGD290XN,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363
Серия: TrenchMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 860mA  ·  Емкость @ Vds: 34pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 410mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
QS6K21TRQS6K21TRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 45V 1A TSMT6
Напряжение (Vdss): 45V  ·  Ток @ 25°C: 1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6318PFDG6318PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 500mA  ·  Емкость @ Vds: 83pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD4105CT1GNTJD4105CT1GON SemiconductorMOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20V, 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 630mA, 775mA  ·  Емкость @ Vds: 46pF @ 20V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD4401NT1GNTJD4401NT1GON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 630mA  ·  Емкость @ Vds: 46pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD4102PT3GON SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 750pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: ChipFET
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6K1TRUS6K1TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 80pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD4152PT1GNTJD4152PT1GON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 880mA  ·  Емкость @ Vds: 155pF @ 20V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 272mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6316PFDG6316PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 12V 0.7A SC70-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 700mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 700mA  ·  Емкость @ Vds: 146pF @ 6V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMC3028LSD-13Diodes/ZetexMOSFET N+P 30V 5.5A SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.5A, 5.8A  ·  Емкость @ Vds: 472pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6327CFDC6327CFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A, 1.9A  ·  Емкость @ Vds: 325pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6310PFDC6310PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 337pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
QS5K2TRQS5K2TRRohm SemiconductorTRANS N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 175pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT5
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMP2004VK-7DMP2004VK-7Diodes IncMOSFET P-CH DUAL 530MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 530mA  ·  Емкость @ Vds: 175pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6308PFDG6308PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 600mA  ·  Емкость @ Vds: 153pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6304PFDC6304PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 460mA  ·  Емкость @ Vds: 62pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN2040LSD-13Diodes IncMOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 562pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDC7003PNDC7003PFairchild SemiconductorMOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 340mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 340mA  ·  Емкость @ Vds: 66pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6420CFDC6420CFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3A, 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 324pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD5903T1GON SemiconductorMOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.2A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6561ANFDC6561ANFairchild SemiconductorMOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 220pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSL214N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TSOP-6
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 143pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте