Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PMGD370XN,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 740mA · Емкость @ Vds: 37pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 410mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMGD400UN,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 710mA · Емкость @ Vds: 43pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 410mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMGD280UN,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 870mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMGD290XN,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 860mA · Емкость @ Vds: 34pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 410mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
QS6K21TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 Напряжение (Vdss): 45V · Ток @ 25°C: 1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6318P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 83pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTJD4105CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA, 775mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4102PT3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: ChipFET | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6K1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Емкость @ Vds: 155pF @ 20V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 272mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6316P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 0.7A SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA · Емкость @ Vds: 146pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC3028LSD-13 | Diodes/Zetex | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 5.8A · Емкость @ Vds: 472pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6327C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A, 1.9A · Емкость @ Vds: 325pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6310P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 337pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
QS5K2TR | Rohm Semiconductor | TRANS N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 175pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2004VK-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 530MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 530mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6308P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 600mA · Емкость @ Vds: 153pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6304P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 460mA · Емкость @ Vds: 62pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN2040LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 562pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDC7003P | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 340mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 340mA · Емкость @ Vds: 66pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6420C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A, 2.2A · Емкость @ Vds: 324pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD5903T1G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6561AN | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 220pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL214N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |