Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

APTM100H18FG — MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 21.5A, 10V
Напряжение (Vdss)	1000V (1kV)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	372nC @ 10V
Ток @ 25°C	43A
Емкость @ Vds	10400pF @ 25V
Полярность	4 N-Channel (H-Bridge)
Особенности	Стандарт
Мощность макcимальная	780W
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP6