Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IRF9956PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF9956 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF9956TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 140pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9956A | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 320pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DI9956T | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 3.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDF3N03HDR2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 4.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A · Емкость @ Vds: 630pF @ 24V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7752 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.6A · Емкость @ Vds: 861pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7752TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.6A · Емкость @ Vds: 861pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7303 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7303TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7303TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7303PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS8936 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 720pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN3024LSD-13 | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Емкость @ Vds: 608pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K1TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9936 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 525pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STC5NF30V | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMN3A06DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 796pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7313TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7313PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7313TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7313 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STC6NF30V | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 2.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 800pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |