Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
IRF9956PBFIRF9956PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9956IRF9956International RectifierMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9956TRIRF9956TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8K5TBSP8K5TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 140pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9956ANDS9956AFairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A  ·  Емкость @ Vds: 320pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DI9956TDI9956TDiodes IncMOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 3.7A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMDF3N03HDR2MMDF3N03HDR2ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.1A  ·  Емкость @ Vds: 630pF @ 24V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7752IRF7752International RectifierMOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.6A  ·  Емкость @ Vds: 861pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7752TRIRF7752TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.6A  ·  Емкость @ Vds: 861pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7303IRF7303International RectifierMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7303TRPBFIRF7303TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7303TRIRF7303TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7303PBFIRF7303PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS8936NDS8936Fairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.3A  ·  Емкость @ Vds: 720pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN3024LSD-13Diodes/ZetexMOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.7A  ·  Емкость @ Vds: 608pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8K1TBSP8K1TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 230pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9936NDS9936Fairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 525pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STC5NF30VSTC5NF30VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3A06DN8TAZXMN3A06DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 796pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7313TRPBFIRF7313TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7313PBFIRF7313PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7313TRIRF7313TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7313IRF7313International RectifierMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8K2TBSP8K2TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STC6NF30VSTC6NF30VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 2.5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 800pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 3456789 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте