Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

APTM120H29FG — PWR MODULE MOSFET 1200V 34A SP6

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs	348 mOhm @ 17A, 10V
Напряжение (Vdss)	1200V (1.2kV)
Gate Charge (Qg) @ Vgs	374nC @ 10V
Ток @ 25°C	34A
Емкость @ Vds	10300pF @ 25V
Полярность	4 N-Channel (H-Bridge)
Особенности	Стандарт
Мощность макcимальная	780W
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP6
Встречается под наим.	APTM120H29FG-ND, APTM120H29FGMI