Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BFG93A,215BFG93A,215NXP SemiconductorsTRANS NPN 12V 35MA SOT143B
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 1GHz  ·  Усиление: 16dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 21,04Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG94,115BFG94,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 10V 60MA SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz  ·  Усиление: 11.5dB ~ 13.5dB  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 30mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 60mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA  ·  Compression Point (P1dB): 21.5dBm
от 50,77Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG97,115BFG97,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 5.5GHz  ·  Усиление: 16dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 47,57
до 57,54
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFM505,115BFM505,115NXP SemiconductorsTRANS NPN DUAL 8V 9GHZ SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V  ·  Модуляция частот: 9GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 18mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 34,61Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFM520,115BFM520,115NXP SemiconductorsTRANS NPN DUAL 70MA 8V SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V  ·  Модуляция частот: 9GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.6dB @ 900MHz  ·  Усиление: 13dB ~ 14.5dB  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1 @ 20mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 70mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 41,77
до 105,31
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 181 E7764BFP 181 E7764Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 21dB ~ 17.5dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 10,72Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 182 E7764BFP 182 E7764Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 18,69
до 56,95
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 182R E7764Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143R
от 12,19Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 182W E6327BFP 182W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 11,37
до 13,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 183 E7764BFP 183 E7764Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 16,31
до 49,43
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 183W E6327BFP 183W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 450мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 13,25
до 15,15
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 193 E6327BFP 193 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 18dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 21,33
до 56,95
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 193W E6327BFP 193W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 20.5dB ~ 13.5dB  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 22,75
до 60,18
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 196 E6327BFP 196 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 7.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 16.5dB ~ 10.5dB  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 25,59
до 68,77
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 196R E6501BFP 196R E6501Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 7.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 16.5dB ~ 10.5dB  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 16,20Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 196W E6327BFP 196W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 7.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 19dB ~ 12.5dB  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 17,11
до 19,30
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP405E6327BFP405E6327Infineon TechnologiesTRANS NPN RF 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Мощность макcимальная: 55mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 12mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 5dBm
от 18,08
до 19,73
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 405 E6433BFP 405 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Мощность макcимальная: 55mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 12mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 5dBm
от 19,27Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 405 E6740Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Мощность макcимальная: 55mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 12mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 5dBm
от 23,32Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 405F E6327BFP 405F E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 22.5dB  ·  Мощность макcимальная: 55mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 12mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSFP-4  ·  Compression Point (P1dB): 0dBm
от 30,08
до 80,59
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP420E6327BFP420E6327Infineon TechnologiesTRANS NPN RF 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Мощность макcимальная: 160mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 12dBm
от 31,05
до 60,61
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 420 E6433BFP 420 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Мощность макcимальная: 160mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 12dBm
от 19,66Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 420F E6327BFP 420F E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 19.5dB  ·  Мощность макcимальная: 160mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSFP-4  ·  Compression Point (P1dB): 10.5dBm
от 30,08
до 80,59
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP450E6327BFP450E6327Infineon TechnologiesTRANS NPN RF 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 24GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Мощность макcимальная: 450мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 19dBm
от 37,58
до 40,25
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 450 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 24GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Мощность макcимальная: 450мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 19dBm ~ 18.5dBm
от 37,58Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте