BFP 450 E6433 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 24GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 19dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BFP450E6327	Infineon Technologies	TRANS NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 24GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 19dBm	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

BFP 450 E6433 — TRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343

Аналогичные по характеристикам