Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SC3931GCL2SC3931GCLPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 15mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR 193L3 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V TSLP-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 19dB ~ 12.5dB  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSLP-3-1
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC39300CL2SC39300CLPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 30MA S-MINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.8dB @ 5MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 196W E6327BFP 196W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 7.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 19dB ~ 12.5dB  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
3MN03SF-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 20V 30MA SSFP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR93AW,115BFR93AW,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 12V 35MA SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBR951,215PBR951,215NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN UHF 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 365mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP405E6327BFP405E6327Infineon TechnologiesTRANS NPN RF 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Мощность макcимальная: 55mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 12mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 5dBm
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68719-T1-ANE68719-T1-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V  ·  Модуляция частот: 11GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 8.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 90mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4626JCL2SC4626JCLPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 30MA SSMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.8dB @ 5MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR 193W E6327BFR 193W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 16dB ~ 10.5dB  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 182 E7764BFP 182 E7764Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC39310CL2SC39310CLPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 15mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFQ67,215BFQ67,215NXP SemiconductorsTRANS NPN 50MA 10V 8GHZ SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 405 E6433BFP 405 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Мощность макcимальная: 55mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 12mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 5dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR520T,115BFR520T,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 9GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 70mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3)  ·  Compression Point (P1dB): 17dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR505T,115BFR505T,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 9GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 900MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 18mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3)  ·  Compression Point (P1dB): 4dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
4MN10CH-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 200V 100MA CPH3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 420 E6433BFP 420 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Мощность макcимальная: 160mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 12dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE94433-T1B-ANE94433-T1B-ANECTRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTH24-7-FMMBTH24-7-FDiodes IncTRANS NPN 40V 50MA SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4808J0L2SC4808J0LPanasonic - SSGTRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz  ·  Усиление: 11dB ~ 14dB  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC6023-TR-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 3.5V 35MA MCP4
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V  ·  Модуляция частот: 14.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 120mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR 182 E6327BFR 182 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 18dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3934G0L2SC3934G0LPanasonic - SSGTRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz  ·  Усиление: 9dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте