Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
AT-41586-TR2GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 17dB ~ 8dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 60mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (86 Plastic)  ·  Compression Point (P1dB): 18dBm
от 79,48Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42010Avago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 100-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж  ·  Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm
от 3485,33Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42035GAT-42035GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (35 micro-X)  ·  Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm
от 382,86
до 826,97
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42036-BLKGAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (36 micro-X)  ·  Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm
от 704,46Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42036-TR1GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (36 micro-X)  ·  Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm
от 444,12Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42070Avago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 70-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 10.5dB  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (70 mil)  ·  Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm
от 3664,88Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42085GAT-42085GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 45MD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (85 Plastic)  ·  Compression Point (P1dB): 20.5dBm ~ 20dBm
от 107,73
до 270,38
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42086-BLKGAT-42086-BLKGAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 86-SMD  ·  Compression Point (P1dB): 20.5dBm ~ 20dBm
от 107,73
до 270,38
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42086-TR1GAT-42086-TR1GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (86 Plastic)  ·  Compression Point (P1dB): 20.5dB ~ 20dB
от 194,33
до 316,85
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42086-TR2GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж  ·  Compression Point (P1dB): 20.5dBm ~ 20dBm
от 135,19Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-64020AT-64020Avago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 20V 200MA 200-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Мощность макcимальная: 3Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (200 mil BeO)  ·  Compression Point (P1dB): 26.4dBm ~ 27.5dBm
от 2400,00
до 4408,41
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-64023Avago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 20V 200MA 230-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 4GHz  ·  Мощность макcимальная: 3Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж  ·  Compression Point (P1dB): 27.5dBm ~ 26.5dBm
от 11073,84Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCX 41 E6433Infineon TechnologiesTRANS NPN AF/SW 125V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 100mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 6,81Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF199Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 6,27Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF199_D74ZBF199_D74ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 6,27Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF199_J35ZBF199_J35ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 6,27Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF240Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 40V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 5,99Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF240,112BF240,112NXP SemiconductorsTRANS NPN 40V 25MA SOT54
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF240_D74ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 40V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 5,99Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF240_J35ZBF240_J35ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 40V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 5,99Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF240_ND74ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 40V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 4,44Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF494BF494Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 20V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF494_D27ZBF494_D27ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 20V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF494_D74ZBF494_D74ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 20V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 770A E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 14.5dB ~ 9.5dB  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 90mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 7,66Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте