Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2SC3932GTL2SC3932GTLPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 1.6GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 12,57
до 44,32
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC393400L2SC393400LPanasonic - SSGTRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz  ·  Усиление: 9dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 21,27
до 61,20
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3934G0L2SC3934G0LPanasonic - SSGTRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz  ·  Усиление: 9dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 20,22
до 61,20
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC393700L2SC393700LPanasonic - SSGTRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 36,09
до 39,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC3937G0L2SC3937G0LPanasonic - SSGTRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 800MHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 36,09
до 39,10
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4098T106P2SC4098T106PRohm SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 10,13
до 43,26
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4562GRL2SC4562GRLPanasonic - SSGTRANS NPN 50VCEO 50MA SMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 23,00
до 69,64
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4618TLN2SC4618TLNRohm SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA SOT-416
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
от 11,78
до 42,21
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4618TLP2SC4618TLPRohm SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA SOT-416
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
от 8,23
до 11,08
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4626JCL2SC4626JCLPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 30MA SSMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.8dB @ 5MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
от 17,98
до 53,82
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4627J0L2SC4627J0LPanasonic - SSGTRANS NPN HF 20VCEO 15MA SS-MINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 15mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
от 10,55
до 11,71
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC46550BLPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 30MA SS-MINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 230MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC46550CLPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 30MA SS-MINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 230MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4655JCL2SC4655JCLPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 30MA SSMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 230MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
от 8,44
до 10,97
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4713KT146S2SC4713KT146SRohm SemiconductorTRANS NPN 6V 50MA SOT-346
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 800MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 5mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
от 13,49
до 48,54
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4774T106S2SC4774T106SRohm SemiconductorTRANS NPN 6V 50MA SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 800MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 5mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 6,33
до 9,07
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4808G0L2SC4808G0LPanasonic - SSGTRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz  ·  Усиление: 11dB ~ 14dB  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
от 21,72
до 65,42
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC4808J0L2SC4808J0LPanasonic - SSGTRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz  ·  Усиление: 11dB ~ 14dB  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 3P
от 19,63
до 21,21
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC48350RL2SC48350RLPanasonic - SSGTRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB @ 800MHz  ·  Усиление: 11dB ~ 14dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 22,87
до 65,42
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC501900L2SC501900LPanasonic - SSGTRANS NPN HF 10VCEO 80MA MINIPWR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz  ·  Усиление: 7.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini 3P
от 26,68
до 75,97
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC563200L2SC563200LPanasonic - SSGTRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 12,31
до 44,32
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC5632G0L2SC5632G0LPanasonic - SSGTRANS NPN 8VCEO 50MA SMINI-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
от 9,77
до 13,03
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC6023-TR-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 3.5V 35MA MCP4
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V  ·  Модуляция частот: 14.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 120mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 19,84
до 23,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC6024-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 3.5V 35MA SSFP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 120mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 41,15
до 69,64
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
3MN03SF-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS NPN 20V 30MA SSFP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 16,88
до 61,20
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте