AT-41586-TR2G | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 60mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (86 Plastic) · Compression Point (P1dB): 18dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	AT-41586-TR1G	Avago Technologies US Inc.	TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 60mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (86 Plastic) · Compression Point (P1dB): 18dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	AT-41586-BLKG	Avago Technologies US Inc.	TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 60mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (86 Plastic) · Compression Point (P1dB): 18dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

AT-41586-TR2G — TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD

Аналогичные по характеристикам