Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель	Avago Technologies US Inc.
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	12В
Модуляция частот	8GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)	2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
Усиление	13.5dB ~ 10dB
Мощность макcимальная	600mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 35mA, 8V
Ток коллектора (макс)	80mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	4-SMD (36 micro-X)
Compression Point (P1dB)	21dBm ~ 20.5dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	AT-42036-BLKG	Avago Technologies US Inc.	TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (36 micro-X) · Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	AT-42035G	Avago Technologies US Inc.	TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (35 micro-X) · Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов