AT-42086-BLKG | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж · Compression Point (P1dB): 20.5dBm ~ 20dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	AT-42086-TR1G	Avago Technologies US Inc.	TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (86 Plastic) · Compression Point (P1dB): 20.5dB ~ 20dB	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	AT-42086-TR2G	Avago Technologies US Inc.	TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж · Compression Point (P1dB): 20.5dBm ~ 20dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

AT-42086-BLKG — TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD

Схожие по характеристикам