Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFG93A,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 12V 35MA SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 1GHz · Усиление: 16dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG94,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 60MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz · Усиление: 11.5dB ~ 13.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 60mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA · Compression Point (P1dB): 21.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG97,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Усиление: 16dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFM505,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN DUAL 8V 9GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFM520,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN DUAL 70MA 8V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Усиление: 13dB ~ 14.5dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 181 E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 21dB ~ 17.5dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 182 E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 182R E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143R | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 182W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 183 E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 183W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 193 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 193W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 20.5dB ~ 13.5dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 196 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 196R E6501 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 196W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 405 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 55mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 12mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 405 E6740 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 55mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 12mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 405F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 22.5dB · Мощность макcимальная: 55mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 12mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 0dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 420 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 420F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 19.5dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 10.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 450 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 24GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 19dBm ~ 18.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 460 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 50MA SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 520F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.5V · Модуляция частот: 45GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz · Усиление: 22.5dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 10.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 540 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |