Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
KSC2755OMTFKSC2755OMTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 20MA SOT-23от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC1730YTAKSC1730YTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC2757OMTFKSC2757OMTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 15V 50MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN3563_D26ZPN3563_D26ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 15V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.5GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 26dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KST5179MTFKST5179MTFFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 900MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSH81MPSH81Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF PNP TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 600MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC3123OMTFKSC3123OMTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 20V 50MA SOT-23Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTH10MMBTH10Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTH81_D87ZFairchild SemiconductorTRANS RF PNP 20V 50MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 600MHz  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC1393RTAKSC1393RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3663Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 12V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2.1GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz  ·  Усиление: 1.5dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN5179PN5179Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 12V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSH10MPSH10Fairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN RF VHF/UHF TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF899Freescale SemiconductorTRANS RF 150W 900MHZ NI-860C3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 28V  ·  Усиление: 8dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 230W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: NI-860C3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MBC13900T1Freescale SemiconductorIC TRANS NPN RF LOW NOISE SC70-4
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6.5V  ·  Модуляция частот: 15GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 1.9GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 188mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MBC13900NT1MBC13900NT1Freescale SemiconductorTRANS RF NPN LO NOISE SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6.5V  ·  Модуляция частот: 15GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 1.9GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 188mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF392Freescale SemiconductorTRANSISTOR RF 125W 500MHZ 744A/1
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Модуляция частот: 500MHz  ·  Усиление: 8dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 270Вт  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 744A-01
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG 135A E6327Infineon TechnologiesTRANS NPN RF 15V 150MA SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BGB 540 E6327BGB 540 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Мощность макcимальная: 120mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 12dBm
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR 360T E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 6V SC-75
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB  ·  Мощность макcимальная: 210mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSFP-3  ·  Compression Point (P1dB): 9dBm
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 182R E7764Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143R
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR 181 E6780Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR 183T E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SC-75
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 19.5dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 15mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-75
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFS 469L6 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V, 10V  ·  Мощность макcимальная: 200mW, 250mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Ток коллектора (макс): 50mA, 70mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSLP-6-1  ·  Compression Point (P1dB): 12dBm
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR 360F E6765Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 6V TSFP-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Мощность макcимальная: 210mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSFP-3  ·  Compression Point (P1dB): 9dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте