Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
KSC2755OMTF | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 30V 20MA SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
KSC1730YTA | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
KSC2757OMTF | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 15V 50MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PN3563_D26Z | Fairchild Semiconductor | TRANS RF NPN 15V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.5GHz · Усиление: 14dB ~ 26dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
KST5179MTF | Fairchild Semiconductor | TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 900MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPSH81 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF PNP TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
KSC3123OMTF | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 20V 50MA SOT-23 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBTH10 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMBTH81_D87Z | Fairchild Semiconductor | TRANS RF PNP 20V 50MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 600MHz · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
KSC1393RTA | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N3663 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 12V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2.1GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz · Усиление: 1.5dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PN5179 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 12V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPSH10 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN RF VHF/UHF TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF899 | Freescale Semiconductor | TRANS RF 150W 900MHZ NI-860C3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 28V · Усиление: 8dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 230W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V · Ток коллектора (макс): 25A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: NI-860C3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MBC13900T1 | Freescale Semiconductor | IC TRANS NPN RF LOW NOISE SC70-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6.5V · Модуляция частот: 15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 1.9GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 188mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MBC13900NT1 | Freescale Semiconductor | TRANS RF NPN LO NOISE SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6.5V · Модуляция частот: 15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 1.9GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 188mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF392 | Freescale Semiconductor | TRANSISTOR RF 125W 500MHZ 744A/1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Модуляция частот: 500MHz · Усиление: 8dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V · Ток коллектора (макс): 16A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 744A-01 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFG 135A E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 15V 150MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 8V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BGB 540 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 12dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR 360T E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 6V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 9dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFP 182R E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143R | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 181 E6780 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18.5dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 183T E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFS 469L6 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V, 10V · Мощность макcимальная: 200mW, 250mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Ток коллектора (макс): 50mA, 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-6-1 · Compression Point (P1dB): 12dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR 360F E6765 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 6V TSFP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 9dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |