Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRF5S21150HSR3 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-880S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4260-SCC | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 10.5GHZ 5W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 6GHz · Усиление: 9.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 2.35A · Ток - тестовый: 520mA · Напряжение - тестовое: 8.5V · P1dB: 37dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S21100MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 23Вт · Корпус: TO-270-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTF080101S V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: H32259-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF1820-90,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 90Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ATF-54143-TR1 | Avago Technologies US Inc. | IC TRANS E-PHEMT 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 16.6dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 60mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 20.4dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BF256A | ON Semiconductor | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 800MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 7mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MW6S010GMR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 Gull Wing | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SPF-2086TK | Sirenza Microdevices Inc | IC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 4GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 140mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 40mA · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 20dBm · Корпус: SOT-86 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G20LS-130,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE25118 | NEC | FET 900MHZ SOT-343 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA081501F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE34018-64-A | NEC | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 Тип транзистора: HFET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 2V · P1dB: 12dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBF4416LT1G | ON Semiconductor | MOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S19090HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 850mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: NI-780 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF19045LSR5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 45Вт · Корпус: NI-400S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA082201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4230-SCC | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 12GHZ 0.7W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 294mA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 28.5dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NE25139-T1 | NEC | FET 900 MHZ SOT-143 Тип транзистора: Dual Gate MESFET · Частота: 900MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S21150HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: NI-880 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S9060MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 14Вт · Корпус: TO-270-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF1350-SCC | Triquint Semiconductor Inc | MESFET DC-18GHZ 0.3MM Тип транзистора: MESFET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 84mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ATF-53189-TR2 | Avago Technologies US Inc. | IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 900MHz · Усиление: 17.2dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 300mA · Коэффициент шума: 0.8dB · Ток - тестовый: 135mA · Напряжение - тестовое: 4V · P1dB: 21.7dBm · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF6S9045MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 22.7dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2021-04 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 12GHZ 4MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 1.8A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 36.8dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |