Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFG93A,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 12V 35MA SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 1GHz · Усиление: 16dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 193 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 183W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC393400L | Panasonic - SSG | TRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz · Усиление: 9dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZTX325 | Diodes/Zetex | TRANS HF NPN 15V 1300MHZ TO92-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFT25A,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 32mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V · Ток коллектора (макс): 6.5mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 182W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC4808G0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 800MHz · Усиление: 11dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR106,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 5GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz · Усиление: 11.5dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 9V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 193W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 20.5dB ~ 13.5dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS505,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 900MHz · Усиление: 17dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Compression Point (P1dB): 4dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS520,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Усиление: 13dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Compression Point (P1dB): 17dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 520F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.5V · Модуляция частот: 45GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz · Усиление: 22.5dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 10.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC48350RL | Panasonic - SSG | TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB @ 800MHz · Усиление: 11dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE68819-T1-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 9.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 3dB ~ 4dB · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 405 E6740 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 55mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 12mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS17HTA | Diodes/Zetex | TRANS RF NPN 15V 25MA SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC4562GRL | Panasonic - SSG | TRANS NPN 50VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR505,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 4dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ 19S E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz · Усиление: 11.5dB ~ 7dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V · Ток коллектора (макс): 210mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-30533-BLKG | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 8mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 7dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-31033-BLKG | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 5.5V 16MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz · Усиление: 9dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 16mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 9dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-30533-TR2G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 8mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 7dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-32033-TR2G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 32mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 15dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-32033-BLKG | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 32mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 15dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |