Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
AT-32011-BLKG | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz · Усиление: 9dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 16mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 9dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-31011-TR2G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 5.5V 16MA SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 16mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 9dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS 483 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG424W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 30MA SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 135mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFT93W,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 12V 50MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG403W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 17GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 17GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 900MHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 16mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3mA, 2V · Ток коллектора (макс): 3.6mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): -5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SA1815-4-TB-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS PNP 12V 50MA CP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 750MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE687M13-T3-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ M13 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 90mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE685M13-T3-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ M13 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 140mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE681M13-T3-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ M13 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 7GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 140mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG424F,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 135mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343F, SOT-343 Flat Leads · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-32033-TR1G | Avago Technologies US Inc. | IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz · Усиление: 11dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 32mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC501900L | Panasonic - SSG | TRANS NPN HF 10VCEO 80MA MINIPWR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz · Усиление: 7.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG325W/XR,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): 8.7dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG325/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 8.7dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZUMTS17HTA | Diodes/Zetex | TRANSISTOR RF NPN SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE851M33-T3-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ M33 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M33 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE85619-T1-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 12.5dB ~ 6.5dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFT92W,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 4GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
4MP10CH-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS PNP 200V 100MA CPH3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Модуляция частот: 400MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFT92,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 14mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZUMT918TA | Diodes/Zetex | TRANSISTOR NPN 15V 100MA SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 600MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG505/X,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 18MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 4dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE661M04-T2-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.3V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 39mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V · Ток коллектора (макс): 12mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M04 · Compression Point (P1dB): 5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-41532-TR2G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 50MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Compression Point (P1dB): 14.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |