Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)
 

NE681M13-T3-A — TRANSISTOR NPN 1GHZ M13

ПроизводительNEC
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)10V
Модуляция частот7GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
Мощность макcимальная140mW
Тип транзистораNPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 7mA, 3V
Ток коллектора (макс)65mA
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусПоверхностный монтаж
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE681M13-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ M13
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 140mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NE681M13-T3-A» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте