Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)
 

NE661M04-T2-A — TRANSISTOR NPN 2GHZ M04

ПроизводительNEC
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)3.3V
Модуляция частот25GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)1.2dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Усиление22dB
Мощность макcимальная39mW
Тип транзистораNPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 2V
Ток коллектора (макс)12mA
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусM04
Compression Point (P1dB)5dBm
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE661M04-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ M04
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.3V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 39mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 12mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M04  ·  Compression Point (P1dB): 5dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NE661M04-T2-A» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте