Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
UPA862TD-T3-ANECTRANSISTOR NPN DUAL TD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V, 5.5V  ·  Модуляция частот: 12GHz, 6.5GHz  ·  Мощность макcимальная: 180mW, 190mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Ток коллектора (макс): 30mA, 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TD
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA895TD-T3-ANECTRANSISTOR NPN DUAL TD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Модуляция частот: 6.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB  ·  Мощность макcимальная: 210mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TD
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA814T-T1-AUPA814T-T1-ANECTRANSISTOR NPN FT=9GHZ SOT-36
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 9GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 6.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68519-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SC-90
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 12GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 8.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-XSOF, MiniMold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE687M13-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ M13
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 8.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 90mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE685M13-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ M13
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 12GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 140mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE851M13-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ M13
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Модуляция частот: 6.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB  ·  Мощность макcимальная: 140mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M13
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2031M05-T1-ANESG2031M05-T1-ANECTRANS NPN 2GHZ SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 17dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 13dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA802T-T1-AUPA802T-T1-ANECTRANSISTOR NPN HF 7GHZ SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz  ·  Усиление: 10dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2021M05-T1-ANECTRANS NPN 2GHZ M05
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 18dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M05  ·  Compression Point (P1dB): 9dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA801T-T1-ANECTRANSISTOR NPN HF 4.5GHZ SOT3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz  ·  Усиление: 7dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 620F E7764Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 2.3V TSFP-4
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V  ·  Модуляция частот: 65GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Мощность макcимальная: 185mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSFP-4  ·  Compression Point (P1dB): 14dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE696M01-T1NE696M01-T1NECTRANS NPN 2GHZ SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68039R-T1NE68039R-T1NECTRANS NPN 2GHZ SOT-143R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz  ·  Усиление: 11dB ~ 6.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143R
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE894M13-ANE894M13-ANECTRANS NPN 3GHZ M13
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 105mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M13
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG590,215BFG590,215NXP SemiconductorsTRANS NPN 15V 200MA SOT143B
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 5GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE856M02-T1-AZNECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG3031M14-T3-ANECTRANS NPN 5.8GHZ M14
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.3V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.95dB @ 2.4GHz ~ 5.2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 6mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M14  ·  Compression Point (P1dB): 13dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG3032M14-T3-ANECTRANS NPN 2GHZ M14
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.3V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 17.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 6mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M14  ·  Compression Point (P1dB): 12.5dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68039R-T1-ANE68039R-T1-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-143R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz  ·  Усиление: 11dB ~ 6.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143R
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68139-T1-ANE68139-T1-ANECTRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 9GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 540ESD E6327BFP 540ESD E6327Infineon TechnologiesTRANS RF NPN 4.5V ESD SOT-343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V  ·  Модуляция частот: 30GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz  ·  Усиление: 21.5dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343  ·  Compression Point (P1dB): 11dBm
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68619-T1-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SC-90
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V  ·  Модуляция частот: 13GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 30mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 10mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-XSOF, MiniMold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68039-T1-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SOT143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz  ·  Усиление: 11dB ~ 6.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68018-T1-ANE68018-T1-ANECTRANSISTOR NPN 2GHZ SOT343
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 2GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 6789101112 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте