NE685M13-A | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 140mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE685M13-T3-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ M13 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 140mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	NE68539-T1-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	NE68519-T1	NEC	TRANS NPN 2GHZ SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж		Доп. информация Искать в поставщиках
	NE68518-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	NE685M33-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	NE685M33-T3-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ M33 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	NE68518-T1-A	NEC	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 8.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

NE685M13-A — TRANSISTOR NPN 2GHZ M13

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам