Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.5V  •  Модуляция частот: 45GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz  •  Усиление: 22.5dB  •  Мощность макcимальная: 100mW  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V  •  Ток коллектора (макс): 40mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: TSFP-4  •  Compression Point (P1dB): 10.5dBm  •  Встречается под наим.: BFP520FE6327INDKR