Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFG198,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE85630-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 12dB ~ 6dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE85618-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 13dB ~ 7dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE68133-A | NEC | TRANS NPN 1GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NESG2030M04-A | NEC | TRANS NPN 2GHZ SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 16GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 80mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG10W/X,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 250MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 1.9GHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 250mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343N | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
START499D | STMicroelectronics | TRANS RF NPN 4.5V 1A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Усиление: 13dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 1.7Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 160mA, 3V · Ток коллектора (макс): 1A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
START499ETR | STMicroelectronics | TRANS RF SILICON NPN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 1.9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 160mA, 4V · Ток коллектора (макс): 600mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3 · Compression Point (P1dB): 23.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE68718-T1-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V · Модуляция частот: 13GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz · Усиление: 8dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 90mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE68618-T1-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V · Модуляция частот: 15.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 30mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 2V · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG541,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz · Усиление: 15dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 650мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UPA810T-T1-A | NEC | TRANSISTOR NPN FT=4.5GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 7dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP640FE6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 40GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-TSFP · Compression Point (P1dB): 13.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE856M03-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SC-90 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 3-XSOF, MiniMold | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NESG3031M05-T1-A | NEC | TRANS NPN 5.8GHZ M05 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.3V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.95dB @ 2.4GHz ~ 5.2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 6mA, 2V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M05 · Compression Point (P1dB): 13dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE68539-T1-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 7.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ591,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 7GHz · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 2.25W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NESG2107M33-T3-A | NEC | TRANS NPN 2GHZ M33 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 20GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 7dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M33 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NESG250134-T1-AZ | NEC | TRANS NPN 900MHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9.2V · Модуляция частот: 10GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V · Ток коллектора (макс): 500mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE662M16-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ M16 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.3V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 115mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M04 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE85634-T1-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NESG2101M16-T3-A | NEC | TRANS NPN 2GHZ M16 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 17GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 11dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 190mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M16 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UPA861TD-T3-A | NEC | TRANSISTOR NPN DUAL TD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V, 3V · Модуляция частот: 9GHz, 11GHz · Мощность макcимальная: 90mW, 105mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Ток коллектора (макс): 30mA, 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MINIMOLD | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE68030-T1 | NEC | TRANS NPN 2GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 10GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 12.5dB ~ 5.3dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 6V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NESG270034-T1-AZ | NEC | TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9.2V · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V · Ток коллектора (макс): 750mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |