Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFS540,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 120MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG198,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG325/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 8.7dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG410W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 54mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V · Ток коллектора (макс): 12mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): 5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG540,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFT92,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 14mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG325W/XR,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): 8.7dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG310/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 18GHZ SOT143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 60mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 1.8dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG403W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 17GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 17GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 900MHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 16mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3mA, 2V · Ток коллектора (макс): 3.6mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): -5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR520T,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3) · Compression Point (P1dB): 17dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR92AW,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz · Усиление: 14dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG540/X,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.1dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PRF949,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR NPN 10V 9GHZ SOT416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 16dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG541,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz · Усиление: 15dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 650мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS17A,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 25MA 15V 3GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG520/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 70MA SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.6dB ~ 2.1dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 17dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG67,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR93AW,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 12V 35MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR520,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz · Усиление: 13dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFT93,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 12V 5GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz · Усиление: 16.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ540,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 12V 9GHZ SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG35,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 150MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Модуляция частот: 4GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG425W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 135mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR505,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 4dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NESG2101M16-T3-A | NEC | TRANS NPN 2GHZ M16 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 17GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 11dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 190mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M16 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |