Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BFR 182 E6327BFR 182 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 18dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR 181 E6327BFR 181 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR 193 E6327BFR 193 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 196 E6327BFP 196 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 7.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 16.5dB ~ 10.5dB  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 183 E7764BFP 183 E7764Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 193 E6327BFP 193 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 18dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFP 182 E7764BFP 182 E7764Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE94433-T1B-ANE94433-T1B-ANECTRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA800T-T1-AUPA800T-T1-ANECTRANSISTOR NPN HF FT=8GHZ SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA800T-AUPA800T-ANECTRANSISTOR NPN HF 8GHZ SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 5.5dB ~ 7.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA802T-AUPA802T-ANECTRANSISTOR NPN HF 7GHZ SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz  ·  Усиление: 10dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA802T-T1-AUPA802T-T1-ANECTRANSISTOR NPN HF 7GHZ SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz  ·  Усиление: 10dB ~ 12dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA801T-ANECTRANSISTOR NPN HF 4.5GHZ SOT3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz  ·  Усиление: 7dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA801T-T1-ANECTRANSISTOR NPN HF 4.5GHZ SOT3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz  ·  Усиление: 7dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA814T-T1-AUPA814T-T1-ANECTRANSISTOR NPN FT=9GHZ SOT-36
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 9GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 6.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA810T-T1-AUPA810T-T1-ANECTRANSISTOR NPN FT=4.5GHZ SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 4.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz  ·  Усиление: 7dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA806T-T1-ANECTRANSISTOR NPN FT=12GHZ SOT36
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 12GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 7dB ~ 8.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA862TD-T3-ANECTRANSISTOR NPN DUAL TD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V, 5.5V  ·  Модуляция частот: 12GHz, 6.5GHz  ·  Мощность макcимальная: 180mW, 190mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Ток коллектора (макс): 30mA, 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TD
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA862TD-AUPA862TD-ANECTRANSISTOR NPN DUAL TD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V, 5.5V  ·  Модуляция частот: 12GHz, 6.5GHz  ·  Мощность макcимальная: 180mW, 190mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Ток коллектора (макс): 30mA, 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TD
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA895TD-ANECTRANSISTOR NPN DUAL TD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Модуляция частот: 6.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB  ·  Мощность макcимальная: 210mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TD
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA861TD-T3-ANECTRANSISTOR NPN DUAL TD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V, 3V  ·  Модуляция частот: 9GHz, 11GHz  ·  Мощность макcимальная: 90mW, 105mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Ток коллектора (макс): 30mA, 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MINIMOLD
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA895TD-T3-ANECTRANSISTOR NPN DUAL TD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Модуляция частот: 6.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB  ·  Мощность макcимальная: 210mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 7mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TD
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA861TD-ANECTRANSISTOR NPN DUAL TD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V, 3V  ·  Модуляция частот: 9GHz, 11GHz  ·  Мощность макcимальная: 90mW, 105mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Ток коллектора (макс): 30mA, 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TD
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA895TS-T3-ANECTRANSISTOR NPN DUAL 6-SMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Модуляция частот: 6.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB  ·  Мощность макcимальная: 130mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SMINI
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UPA895TS-ANECTRANSISTOR NPN DUAL 6-SMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Модуляция частот: 6.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB  ·  Мощность макcимальная: 130mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SMINI
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 45678910 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте