Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BFR92A,215BFR92A,215NXP SemiconductorsTRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.1dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFR92AW,135NXP SemiconductorsTRANS NPN 25MA 15V 5GHZ UMT3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KST10MTFKST10MTFFairchild SemiconductorTRANS NPN 25V 350MW SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2101M05-T1-ANECTRANS NPN 2GHZ M05
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 17GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M05
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2021M05-T1-ANECTRANS NPN 2GHZ M05
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 18dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M05  ·  Compression Point (P1dB): 9dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2021M05-ANESG2021M05-ANECTRANS NPN 2GHZ M05
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 18dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M05  ·  Compression Point (P1dB): 9dBm
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2101M05-ANESG2101M05-ANECTRANS NPN 2GHZ M05
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 17GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M05
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG3032M14-T3-ANECTRANS NPN 2GHZ M14
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.3V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 17.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 6mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M14  ·  Compression Point (P1dB): 12.5dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2021M16-T3-ANECTRANS NPN 2GHZ M16
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 18dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж  ·  Compression Point (P1dB): 9dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2031M16-ANECTRANS NPN 2GHZ M16
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 17dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M16  ·  Compression Point (P1dB): 13dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2101M16-T3-ANECTRANS NPN 2GHZ M16
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 17GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 11dB ~ 13dB  ·  Мощность макcимальная: 190mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M16
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2021M16-ANECTRANS NPN 2GHZ M16
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 18dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж  ·  Compression Point (P1dB): 9dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2031M16-T3-ANECTRANS NPN 2GHZ M16
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 25GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 2GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 17dB  ·  Мощность макcимальная: 175mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M16  ·  Compression Point (P1dB): 13dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2101M16-ANECTRANS NPN 2GHZ M16
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 17GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 11dB ~ 13dB  ·  Мощность макcимальная: 190mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M16
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2046M33-T3-ANECTRANS NPN 2GHZ M33
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 18GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 9.5dB ~ 11.5dB  ·  Мощность макcимальная: 130mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 40mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M33
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2107M33-T3-ANECTRANS NPN 2GHZ M33
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 20GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 7dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 130mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M33
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2107M33-ANECTRANS NPN 2GHZ M33
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 20GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 7dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 130mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M33
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG2046M33-ANECTRANS NPN 2GHZ M33
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 18GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 9.5dB ~ 11.5dB  ·  Мощность макcимальная: 130mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 40mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M33
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG204619-T1-ANECTRANS NPN 2GHZ SC-90
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 18GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 9dB ~ 11dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 40mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-XSOF, MiniMold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG210719-ANECTRANS NPN 2GHZ SC-90
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 12GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 6.5dB ~ 8dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-XSOF, MiniMold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG210719-T1-ANECTRANS NPN 2GHZ SC-90
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 12GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 6.5dB ~ 8dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-XSOF, MiniMold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NESG204619-ANECTRANS NPN 2GHZ SC-90
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 18GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 9dB ~ 11dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 40mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-XSOF, MiniMold
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68819-T1NE68819-T1NECTRANS NPN 2GHZ SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 9.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 3dB ~ 4dB  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68519-T1NE68519-T1NECTRANS NPN 2GHZ SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 12GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 8.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NE68719-T1NE68719-T1NECTRANS NPN 2GHZ SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3V  ·  Модуляция частот: 11GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz  ·  Усиление: 8.5dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 90mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 45678910 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте