Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
KSC1730OBUKSC1730OBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FPNH10Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTH10RGMMBTH10RGFairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Модуляция частот: 450MHz  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPS5179_D75ZMPS5179_D75ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC1674YBUKSC1674YBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 20V 20MA TO-92от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN3563PN3563Fairchild SemiconductorTRANS RF NPN 15V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.5GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 26dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSH17_D75ZMPSH17_D75ZFairchild SemiconductorTRANS NPN 15V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF494_D27ZBF494_D27ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN 20V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC2786RBUKSC2786RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 20V 20MA TO-92Sот 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSH81_D27ZMPSH81_D27ZFairchild SemiconductorTRANS RF PNP 20V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 600MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSH11MPSH11Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC2755YMTFKSC2755YMTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 20MA SOT-23Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBT5179MMBT5179Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF199_D74ZBF199_D74ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSH10_D27ZMPSH10_D27ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSH17_D27ZMPSH17_D27ZFairchild SemiconductorTRANS NPN 15V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC2755OMTFKSC2755OMTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 20MA SOT-23от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC1730YTAKSC1730YTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 15V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC2757OMTFKSC2757OMTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 15V 50MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN3563_D26ZPN3563_D26ZFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 15V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.5GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 26dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KST5179MTFKST5179MTFFairchild SemiconductorTRANS RF NPN 12V 50MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 900MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSH81MPSH81Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF PNP TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 600MHz  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC3123OMTFKSC3123OMTFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 20V 50MA SOT-23Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTH10MMBTH10Fairchild SemiconductorTRANSISTOR RF NPN SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Модуляция частот: 650MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBTH81_D87ZFairchild SemiconductorTRANS RF PNP 20V 50MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 600MHz  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 45678910 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте