Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFP 183W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 181W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 460L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 11.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC4713KT146S | Rohm Semiconductor | TRANS NPN 6V 50MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 800MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 5mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SA1790GCL | Panasonic - SSG | TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 300MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.8dB @ 5MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC24040CL | Panasonic - SSG | TRANS NPN 20VCEO 15MA MINI-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 650MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 15mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC24040DL | Panasonic - SSG | TRANS NPN 20VCEO 15MA MINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 650MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 15mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 183 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 460 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 50MA SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR93AR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 35MA 12V 6GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC22950BL | Panasonic - SSG | TRANS NPN 20VCEO 30MA MINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 250MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.8dB @ 5MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MCH4009-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Compression Point (P1dB): 13.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ67W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 20MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 181 E6780 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18.5dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE58219-T1-A | NEC | TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5GHz · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Ток коллектора (макс): 60mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1608 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMBTH24-7 | Diodes Inc | TRANS NPN VHF/UHF 40V SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 400MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE94430-T1-A | NEC | TRANS NPN OSC FT=2GHZ SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 340L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 60mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 3V · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): -1dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR93A,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 35MA 12V 6GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR92AW,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz · Усиление: 14dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR92A,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.1dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 196R E6501 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 183 E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SA1748GRL | Panasonic - SSG | TRANS PNP 50VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 35AP E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 45mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |