Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SI7501DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V PWRPAK 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.4A, 4.5A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 1212-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 8V · Ток @ 25°C: 4.5A, 4.3A · Емкость @ Vds: 400pF @ 6V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3586DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.9/2.1A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 2.1A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4330DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4972DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.7A, 6.4A · Емкость @ Vds: 1080pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7872DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4900DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 665pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4944DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4511DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.2A, 4.6A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7222DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.7A · Емкость @ Vds: 700pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1026X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 30pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7960DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6926ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4561DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.6A · Емкость @ Vds: 640pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4914DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 5.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W, 1.16W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI4908DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A · Емкость @ Vds: 355pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.85W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 1200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1016X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA, 370mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1913DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 570mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI5920DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 680pF @ 4V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.04W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1206-8 ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6925ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3993DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 1.8A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.8A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7956DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.6A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI5513DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A, 2.1A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1206-8 ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7844DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |