Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI7501DN-T1-E3SI7501DN-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 30V PWRPAK 1212-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.4A, 4.5A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 1212-8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIA511DJ-T1-GE3SIA511DJ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 8V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A, 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 6V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3586DV-T1-E3SI3586DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2.9/2.1A 6TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A, 2.1A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4330DY-T1-E3SI4330DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.6A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4972DY-T1-E3SI4972DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8.7A, 6.4A  ·  Емкость @ Vds: 1080pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7872DP-T1-E3SI7872DP-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.4A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4900DY-T1-E3SI4900DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 665pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4944DY-T1-E3SI4944DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 9.3A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4511DY-T1-E3SI4511DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.2A, 4.6A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7222DN-T1-E3SI7222DN-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.7A  ·  Емкость @ Vds: 700pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1026X-T1-E3SI1026X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 305mA  ·  Емкость @ Vds: 30pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7960DP-T1-GE3SI7960DP-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.2A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6926ADQ-T1-E3SI6926ADQ-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4561DY-T1-GE3SI4561DY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.6A  ·  Емкость @ Vds: 640pF @ 20V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4914DY-T1-E3SI4914DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.5A, 5.7A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W, 1.16W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4908DY-T1-E3SI4908DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.1A  ·  Емкость @ Vds: 355pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.85W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI9926CDY-T1-GE3SI9926CDY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 1200pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1016X-T1-E3SI1016X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 485mA, 370mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1913DH-T1-E3SI1913DH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 880mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI5920DC-T1-E3SI5920DC-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 680pF @ 4V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.04W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 1206-8 ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6925ADQ-T1-GE3SI6925ADQ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.3A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3993DV-T1-E3SI3993DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 30V 1.8A 6-TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.8A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7956DP-T1-E3SI7956DP-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 150V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.6A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI5513DC-T1-E3SI5513DC-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A, 2.1A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 1206-8 ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7844DP-T1-GE3SI7844DP-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.4A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте