Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

SI4972DY-T1-E3 — MOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC

Производитель	Vishay/Siliconix
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 6A, 10V
Напряжение (Vdss)	30В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	28nC @ 10V
Ток @ 25°C	8.7A, 6.4A
Емкость @ Vds	1080pF @ 15V
Полярность	2 N-Channel (Dual)
Особенности	Стандарт
Мощность макcимальная	2Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.	SI4972DY-T1-E3TR