Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
ZDM4206NTA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 100pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NDS9957 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.6A · Емкость @ Vds: 200pF @ 30V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMN6A11DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 330pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SM6K2T110 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-457 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 15pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N7002V-TP | Micro Commercial Co | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N7002V-7 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N7002VA-7 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DI9945T | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 435pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9945 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 345pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN6A25DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 1063pF @ 30V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS4DNF60L | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1030pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN6A09DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7380PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 660pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7756 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7756TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7754TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1984pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7754 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1984pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7325PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A · Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7325 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A · Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7325TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A · Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7329TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.2A · Емкость @ Vds: 3450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7329 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.2A · Емкость @ Vds: 3450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7329PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.2A · Емкость @ Vds: 3450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7329TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.2A · Емкость @ Vds: 3450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120DG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |