Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZDM4206NTADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Ток @ 25°C: 1A  ·  Емкость @ Vds: 100pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9957Fairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.6A  ·  Емкость @ Vds: 200pF @ 30V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN6A11DN8TAZXMN6A11DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 330pF @ 40V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SM6K2T110SM6K2T110Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-457
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.4nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 200mA  ·  Емкость @ Vds: 15pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002V-TP2N7002V-TPMicro Commercial CoMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Ток @ 25°C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002V-72N7002V-7Diodes IncMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Ток @ 25°C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002VA-72N7002VA-7Diodes IncMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Ток @ 25°C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DI9945TDI9945TDiodes IncMOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 435pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9945Fairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 345pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN6A25DN8TAZXMN6A25DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 3.8A  ·  Емкость @ Vds: 1063pF @ 30V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS4DNF60LSTS4DNF60LSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 1030pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN6A09DN8TAZXMN6A09DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7380PBFIRF7380PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 80V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 660pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7756IRF7756International RectifierMOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7756TRIRF7756TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7754TRIRF7754TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.5A  ·  Емкость @ Vds: 1984pF @ 6V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7754IRF7754International RectifierMOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.5A  ·  Емкость @ Vds: 1984pF @ 6V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7325PBFIRF7325PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.8A  ·  Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7325IRF7325International RectifierMOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.8A  ·  Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7325TRIRF7325TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.8A  ·  Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7329TRIRF7329TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 9.2A  ·  Емкость @ Vds: 3450pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7329IRF7329International RectifierMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 9.2A  ·  Емкость @ Vds: 3450pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7329PBFIRF7329PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 9.2A  ·  Емкость @ Vds: 3450pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7329TRPBFIRF7329TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 9.2A  ·  Емкость @ Vds: 3450pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPS1120DG4TPS1120DG4Texas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 15V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.17A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 840mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте