Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BSL215C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP57D5UV-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 50V SOT563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 160mA · Емкость @ Vds: 29pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN32D2LDF-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 350MW SOT-353 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 400mA · Емкость @ Vds: 39pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 280mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3981DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 1.6A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PHN210T,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 250pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS8402DW-7 | Diodes Inc | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V, 50V · Ток @ 25°C: 115mA, 130mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7555TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1066pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS138DW-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF5810TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
XP0187800L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
QS6J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD3183CZTBG | ON Semiconductor | MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.6A, 2.2A · Емкость @ Vds: 355pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS8402DW-7-F | Diodes Inc | MOSFET ARRAY N/P-CHAN SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V, 50V · Ток @ 25°C: 115mA, 130mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL215P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH DL 20V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 346pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF5850TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1026X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMG9926USD-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 867pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1029X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA, 190mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TT8J21TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 1270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC3036LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET COMPL PAIR 2500MW 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.9A, 6A · Емкость @ Vds: 384pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD3183CZTAG | ON Semiconductor | MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.6A, 2.2A · Емкость @ Vds: 355pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2004DMK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL P-CH 20V SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 550mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD3119CTAG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.6A, 2.3A · Емкость @ Vds: 271pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF5852TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |