Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BSL215C L6327Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 143pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMP57D5UV-7DMP57D5UV-7Diodes IncMOSFET P-CH DUAL 50V SOT563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 160mA  ·  Емкость @ Vds: 29pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN32D2LDF-7DMN32D2LDF-7Diodes IncMOSFET N-CH DUAL 350MW SOT-353
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 400mA  ·  Емкость @ Vds: 39pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 280mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3981DV-T1-E3SI3981DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 1.6A 6-TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.6A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PHN210T,118PHN210T,118NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC
Серия: TrenchMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 250pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSS8402DW-7BSS8402DW-7Diodes IncMOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 60V, 50V  ·  Ток @ 25°C: 115mA, 130mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7555TRPBFIRF7555TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 1066pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSS138DW-7BSS138DW-7Diodes IncMOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 200mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF5810TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XP0187800LXP0187800LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
QS6J1TRQS6J1TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 270pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
QS6J3TRQS6J3TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 270pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLJD3183CZTBGON SemiconductorMOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.6A, 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 355pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 710мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-WDFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSS8402DW-7-FBSS8402DW-7-FDiodes IncMOSFET ARRAY N/P-CHAN SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 60V, 50V  ·  Ток @ 25°C: 115mA, 130mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSL215P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-CH DL 20V 1.5A TSOP-6
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 346pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF5850TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 320pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1026X-T1-GE3SI1026X-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 305mA  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMG9926USD-13Diodes IncMOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 867pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1029X-T1-GE3SI1029X-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 305mA, 190mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TT8J21TRTT8J21TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 1270pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMC3036LSD-13Diodes IncMOSFET COMPL PAIR 2500MW 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.9A, 6A  ·  Емкость @ Vds: 384pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLJD3183CZTAGON SemiconductorMOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.6A, 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 355pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 710мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-WDFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMP2004DMK-7Diodes IncMOSFET DUAL P-CH 20V SOT-26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 550mA  ·  Емкость @ Vds: 175pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-26
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLJD3119CTAGON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.6A, 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 271pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 710мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-WDFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF5852TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте