Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
IRF7506TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH DUAL 30V 1.7A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.7A  ·  Емкость @ Vds: 180pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0497900LUP0497900LPanasonic - SSGMOSFET N+P 50,30V .1A SSMINI-6P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V, 30V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP04878G0LUP04878G0LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0487800LUP0487800LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD4102PT1GON SemiconductorMOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 750pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD4102PT1ON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 750pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SSD2007ATFSSD2007ATFFairchild SemiconductorMOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SSD2007ASTFSSD2007ASTFFairchild SemiconductorMOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLTD7900ZR2GON SemiconductorMOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 15pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro-8 Leadless
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS8962CFDS8962CFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 7A, 5A  ·  Емкость @ Vds: 575pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSO220N03MD GInfineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 30V 7.7A DSO-8
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 800pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DSO-8
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1032CZFDMA1032CZFairchild SemiconductorIC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A, 3.1A  ·  Емкость @ Vds: 340pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN3033LSD-13Diodes IncMOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.9A  ·  Емкость @ Vds: 725pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMP3056LSD-13Diodes IncMOSFET P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.9A  ·  Емкость @ Vds: 722pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMG6968UDM-7DMG6968UDM-7Diodes IncMOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 143pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 850mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-26
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1026X-T1-E3SI1026X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 305mA  ·  Емкость @ Vds: 30pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMP3098LSD-13Diodes IncMOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.4A  ·  Емкость @ Vds: 336pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.8W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1553DL-T1-E3SI1553DL-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 660mA, 410mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1913DH-T1-E3SI1913DH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 880mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4612AO4612Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A, 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 30V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDM2509NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 8.7A 2X5MLP
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8.7A  ·  Емкость @ Vds: 1200pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.2W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9953TRPBFIRF9953TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIA513DJ-T1-GE3SIA513DJ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A, 3.3A  ·  Емкость @ Vds: 360pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1551DL-T1-E3SI1551DL-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 290mA, 410mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1034X-T1-E3SI1034X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 180mA  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 891011121314 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте