Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IRF7506TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 30V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 180pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP0497900L | Panasonic - SSG | MOSFET N+P 50,30V .1A SSMINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V, 30V · Ток @ 25°C: 100mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP04878G0L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP0487800L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4102PT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SSD2007ATF | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SSD2007ASTF | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 15pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro-8 Leadless | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS8962C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7A, 5A · Емкость @ Vds: 575pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO220N03MD G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.7A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 800pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA1032CZ | Fairchild Semiconductor | IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.7A, 3.1A · Емкость @ Vds: 340pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN3033LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.9A · Емкость @ Vds: 725pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP3056LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.9A · Емкость @ Vds: 722pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMG6968UDM-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 850mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1026X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 30pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP3098LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.4A · Емкость @ Vds: 336pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.8W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1553DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 660mA, 410mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1913DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 570mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO4612 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A, 3.2A · Емкость @ Vds: 540pF @ 30V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDM2509NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 8.7A 2X5MLP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.7A · Емкость @ Vds: 1200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF9953TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A, 3.3A · Емкость @ Vds: 360pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1551DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 290mA, 410mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1034X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 180mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |