Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI1024X-T1-E3SI1024X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 485mA  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIA911EDJ-T1-GE3SIA911EDJ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 8V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN2004VK-7DMN2004VK-7Diodes IncMOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 540mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMN2215UDM-7DMN2215UDM-7Diodes IncMOSFET N-CH 20V 2A SOT-26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 188pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-26
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS8958BFDS8958BFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.4A, 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMP2240UDM-7DMP2240UDM-7Diodes IncMOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 320pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-26
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMG4800LSD-13Diodes IncMOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.56nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 8.54A  ·  Емкость @ Vds: 798pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.17W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTMD6N02R2GNTMD6N02R2GON SemiconductorMOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.92A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 730мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI9955DYSI9955DYFairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 345pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8210(TE12L,Q,MToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8209(TE12L,Q,MToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO4822AAO4822AAlpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.8A  ·  Емкость @ Vds: 1250pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7105TRPBFIRF7105TRPBFInternational RectifierMOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 330pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1029PZFDMA1029PZFairchild SemiconductorIC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF8313TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 9.7A  ·  Емкость @ Vds: 760pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AOP605AOP605Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.5A, 6.6A  ·  Емкость @ Vds: 820pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 8-DIP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO9926BAO9926BAlpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.6A  ·  Емкость @ Vds: 630pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8K1TBSP8K1TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 230pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UM6K1NTRUM6K1NTRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 13pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
HUFA76404DK8THUFA76404DK8TFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 62V 3.2A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 62V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 250pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS6984ASFairchild SemiconductorMOSFET SCHOTTKY N-CH DUAL 8-SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.5A, 8.5A  ·  Емкость @ Vds: 420pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6318PFDC6318PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 455pF @ 6V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1563DH-T1-E3SI1563DH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.13A, 880mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMG8601UFG-7Diodes IncMOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.1A  ·  Емкость @ Vds: 143pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 920мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-DFN
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ECH8651R-TL-HSANYO Semiconductor (U.S.A) CoMOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 24V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 10A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 9101112131415 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте