Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SI1024X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 8V · Ток @ 25°C: 3.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN2004VK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN2215UDM-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 188pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 650мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS8958B | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.4A, 4.5A · Емкость @ Vds: 540pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2240UDM-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMG4800LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.56nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8.54A · Емкость @ Vds: 798pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.17W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD6N02R2G | ON Semiconductor | MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.92A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 730мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI9955DY | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 345pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8210(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8209(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO4822A | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.8A · Емкость @ Vds: 1250pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7105TRPBF | International Rectifier | MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 330pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA1029PZ | Fairchild Semiconductor | IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF8313TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.7A · Емкость @ Vds: 760pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AOP605 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A, 6.6A · Емкость @ Vds: 820pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 8-DIP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO9926B | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.6A · Емкость @ Vds: 630pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K1TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UM6K1NTR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
HUFA76404DK8T | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 62V 3.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 62V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 250pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6984AS | Fairchild Semiconductor | MOSFET SCHOTTKY N-CH DUAL 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A, 8.5A · Емкость @ Vds: 420pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6318P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 455pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1563DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.13A, 880mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 570mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMG8601UFG-7 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.1A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 920мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ECH8651R-TL-H | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Ток @ 25°C: 10A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |