Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TT8J2TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSST
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9953ANDS9953AFairchild SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 350pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UM6J1NTNRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 200mA  ·  Емкость @ Vds: 30pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMD63P03XTAZXMD63P03XTADiodes/ZetexMOSFET 2P-CH 30V 2A 8-MSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 270pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 870mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8J4TBSP8J4TBRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8J3TBSP8J3TBRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 490pf @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7306IRF7306International RectifierMOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 440pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7306TRIRF7306TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 440pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7306TRPBFIRF7306TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 440pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7306PBFIRF7306PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 440pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMP3A17DN8TAZXMP3A17DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.8nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 630pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8J2TBSP8J2TBRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 850pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7751TRIRF7751TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7751IRF7751International RectifierMOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMD65P03N8TAZXMD65P03N8TADiodes/ZetexMOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.8A  ·  Емкость @ Vds: 930pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7316TRPBFIRF7316TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 710pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7316IRF7316International RectifierMOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 710pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7316TRIRF7316TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 710pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7316PBFIRF7316PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 710pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS8947NDS8947Fairchild SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 690pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS4DPF30LSTS4DPF30LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 1350pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMP3A16DN8TAZXMP3A16DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.6nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.2A  ·  Емкость @ Vds: 1022pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8J1TBSP8J1TBRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8J5TBSP8J5TBRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 2600pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7328TRIRF7328TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 2675pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 891011121314 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте