Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SI4542DY | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 830pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS8949 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 40V 6A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 955pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS9934C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.5A, 5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9933 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 870pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDMJ1032C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 20V SC75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A, 2.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS3912 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 100V 3A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 632pF @ 50V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6314P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDG6318P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 83pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9948 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 2.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 394pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS9933BZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 985pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
HUFA76504DK8T | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHAN 80V 2.3A 8-SOIC Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 270pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6305N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHAN DUAL 20V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 310pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6313N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDS4953 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 528pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6982S | Fairchild Semiconductor | MOSFET SCHOTTKY 30V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.3A, 8.6A · Емкость @ Vds: 2040pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS8960C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 35V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A, 5A · Емкость @ Vds: 570pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDJ1027P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.8A FLMP SC-75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.8A · Емкость @ Vds: 290pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
HUFA76413DK8T | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHAN 60V 4.8A SO-8 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.1A · Емкость @ Vds: 620pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC3601N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 153pF @ 50V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS8958B | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.4A, 4.5A · Емкость @ Vds: 540pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6961A_F011 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 220pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6301N | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6898A_NF40 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.4A · Емкость @ Vds: 1821pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6561AN | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 220pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDY2001PZ | Fairchild Semiconductor | MSOFET P-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 150mA · Емкость @ Vds: 100pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |