Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FDZ2554PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1430pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 12-BGA (18 pos) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDQ7698S | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Ток @ 25°C: 12A, 15A · Емкость @ Vds: 1324pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W, 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина, Fused Leads) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9957 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.6A · Емкость @ Vds: 200pF @ 30V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FD6M033N06 | Fairchild Semiconductor | IC RECT MOD 60V/73A SYNC EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 129nC @ 10V · Ток @ 25°C: 73A · Емкость @ Vds: 6010pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: EPM15 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDS8978 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 907pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS9958_F085 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 1020pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDZ2553N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 9.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.6A · Емкость @ Vds: 1299pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 12-BGA (18 pos) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FQS4900TF | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 60V 8SOP Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 650mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V, 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.3A, 300mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDG6318PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.62nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 85.4pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDM3000 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 3 PHASE MOTOR DVR SO16 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 360pF @ 10V · Полярность: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6312P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 467pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FD6M043N08 | Fairchild Semiconductor | IC RECT MOD 75V/65A SYNC EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 148nC @ 10V · Ток @ 25°C: 65A · Емкость @ Vds: 6180pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: EPM15 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDMJ1028N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDW2502P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.4A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.4A · Емкость @ Vds: 1465pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDSS2407 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 62V 3.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 62V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.3A · Емкость @ Vds: 300pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.27W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2512NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 670pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NDC7002N | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 510mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS8958 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N+P 30V 4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A, 4A · Емкость @ Vds: 720pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6036P_F077 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 992pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDM3300NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 10A MCRFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 1610pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP, Power33 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6320C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 140mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDZ1905PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WLCSP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2504P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 1030pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDMA1027P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 435pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2521C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P 20V 5.5/2.8A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 3.8A · Емкость @ Vds: 1082pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |