Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BSL306N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.3A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 275pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL315P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH DUAL 30V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 282pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL316C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A, 1.5A · Емкость @ Vds: 94pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO150N03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHAN 30V 7.6A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7.6A · Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO150N03MD G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 1300pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO200N03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.6A · Емкость @ Vds: 1010pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO203P | Infineon Technologies | MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.2A · Емкость @ Vds: 2242pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO203PT | Infineon Technologies | MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.2A · Емкость @ Vds: 2242pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSO204P | Infineon Technologies | MOSFET DUAL P-CH 20V 7A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1513pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO207P | Infineon Technologies | MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Емкость @ Vds: 1013pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO211P | Infineon Technologies | MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 920pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO215C | Infineon Technologies | MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 246pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSO220N03MD G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.7A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 800pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO303P | Infineon Technologies | MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.2A · Емкость @ Vds: 1761pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO315C | Infineon Technologies | MOSFET DUAL N/PCH +/-30V 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A, 2.3A · Емкость @ Vds: 250pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSO330N02K G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.4A · Емкость @ Vds: 730pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO350N03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHAN 30V 5A DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.7nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 480pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO4804 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 870pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSO4804T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 870pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO604NS2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 870pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DSO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO612CV | Infineon Technologies | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2A · Емкость @ Vds: 340pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSO612CV G | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2A · Емкость @ Vds: 340pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO615C G | Infineon Technologies | MOSFET COMPLIMENT 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A, 2A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO615CT | Infineon Technologies | MOSFET COMPLIMENT 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A, 2A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO615N | Infineon Technologies | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.6A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |