Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NTGD4161PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 281pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTMD4840NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 565pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 680mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
XP0487800L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V 100MA S-MINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC3018LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9.1A, 6A · Емкость @ Vds: 631pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTUD3171PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 13.5pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-963 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTUD3169CZT5G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 220mA, 200mA · Емкость @ Vds: 12.5pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-963 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTUD3170NZT5G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 12.5pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-963 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6930B | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 412pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO6800 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 30V 3.4A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.96nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 390pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.15W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO6802 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 30V 3.1A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A · Емкость @ Vds: 240pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.15W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
QS6K1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 77pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8301(TE85L) | Toshiba | MOSFET PCH 20V 2.7A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CPH6615-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A, 1.8A · Емкость @ Vds: 187pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3585DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2A, 1.5A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8302(TE85L) | Toshiba | MOSFET PCH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 800pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7507TRPBF | International Rectifier | MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 1.7A · Емкость @ Vds: 260pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMG8822UTS-13 | Diodes Inc | MOSFET ARRAY 20V 4.9A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 841pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TT8J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TT8K2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 180pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6961A | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 220pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDJ1032C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V FLMP SC-75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A, 2.8A · Емкость @ Vds: 200pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC75-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDJ1027P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.8A FLMP SC-75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.8A · Емкость @ Vds: 290pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8208(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 780pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDJ1028N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A FLMP SC-75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC75-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |