Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TPCF8302(TE85L,F)TPCF8302(TE85L,F)ToshibaMOSFET 2P-CH 20V 3A VS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 800pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-8 (2-3U1B)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCF8303(TE85L,F)TPCF8303(TE85L,F)ToshibaMOSFET 2P-CH 20V 3A VS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 860pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-8 (2-3U1B)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7304TRPBFIRF7304TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 610pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7304PBFIRF7304PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 610pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7304IRF7304International RectifierMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 610pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7304TRIRF7304TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 610pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7555TRIRF7555TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 1066pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7750IRF7750International RectifierMOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4.7A  ·  Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7750TRIRF7750TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4.7A  ·  Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTZD3152PT1GNTZD3152PT1GON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 430mA  ·  Емкость @ Vds: 175pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMD65P02N8TAZXMD65P02N8TADiodes/ZetexMOSFET 2P-CH 20V 5.1A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 960pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7314IRF7314International RectifierMOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.3A  ·  Емкость @ Vds: 780pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7314TRPBFIRF7314TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.3A  ·  Емкость @ Vds: 780pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7314PBFIRF7314PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.3A  ·  Емкость @ Vds: 780pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7314TRIRF7314TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.3A  ·  Емкость @ Vds: 780pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTJD4152PT1GNTJD4152PT1GON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 880mA  ·  Емкость @ Vds: 155pF @ 20V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 272mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7324TRIRF7324TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 9A  ·  Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7324PBFIRF7324PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 9A  ·  Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7324TRPBFIRF7324TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 9A  ·  Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7324IRF7324International RectifierMOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 9A  ·  Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7506TRIRF7506TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.7A  ·  Емкость @ Vds: 180pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9953TRIRF9953TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9953TRPBFIRF9953TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9953PBFIRF9953PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9953IRF9953International RectifierMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 78910111213 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте