Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
TPCF8302(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET 2P-CH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 800pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8303(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET 2P-CH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 860pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7304TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7304PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7304 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7304TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7555TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1066pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7750 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7750TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NTZD3152PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 430mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD65P02N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 20V 5.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 960pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7314 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 780pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7314TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 780pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7314PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 780pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7314TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 780pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Емкость @ Vds: 155pF @ 20V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 272mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7324TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A · Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7324PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A · Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7324TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A · Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7324 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A · Емкость @ Vds: 2940pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7506TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 180pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF9953TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF9953TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF9953PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF9953 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |