Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

Производитель





Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)












Сопротивление базы (Ом)





























Сопротивление эмитер - база (Ом)






















Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce





















































































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

















































Ток коллектора (макс)















Ток отсечки коллетора (vfrc)







Модуляция частот




















Мощность макcимальная
















Тип транзистора





Корпус
























 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
DCX124EU-7-FDCX124EU-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 5,29
до 8,30
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX142JH-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 470  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 10,33Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX142JU-7-FDCX142JU-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 470  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 8,30Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX142TH-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 470  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 10,33Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX142TU-7-FDCX142TU-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 470  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 8,30Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX143EH-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 10,38Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX143EU-7-FDCX143EU-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS DUAL COMP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 10,38
до 51,88
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX143TH-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 8,30Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX143TK-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN/PNP SC-74R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74R
от 8,30Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX143TU-7DCX143TU-7Diodes IncTRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 12,88Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX143TU-7-FDCX143TU-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 5,29
до 8,30
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX144EH-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 8,30Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX144EK-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN/PNP SC-74R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74R
от 8,30Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX144EU-7DCX144EU-7Diodes IncTRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 12,11
до 16,49
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX144EU-7-FDCX144EU-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED DUAL COMP SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 13,84
до 55,34
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DCX4710H-7DCX4710H-7Diodes IncTRANS PREBIAS DUAL COMP SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 12,35
до 16,46
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DDA113TU-7-FDDA113TU-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 8,30Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DDA114EH-7Diodes IncTRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 10,38Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DDA114EK-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 300MW SOT-26
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-26
от 8,30Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DDA114EU-7DDA114EU-7Diodes IncTRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 13,26
до 14,07
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DDA114EU-7-FDDA114EU-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 10,38
до 14,11
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DDA114TH-7Diodes IncTRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 10,38Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DDA114TK-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 300MW SOT-26
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-26
от 8,30Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DDA114TU-7DDA114TU-7Diodes IncTRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 11,05Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DDA114TU-7-FDDA114TU-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 19,09
до 57,65
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 35  Ctrl →

© 2006 — 2020 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте