Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

Производитель





Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)












Сопротивление базы (Ом)





























Сопротивление эмитер - база (Ом)






















Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce





















































































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

















































Ток коллектора (макс)















Ток отсечки коллетора (vfrc)







Модуляция частот




















Мощность макcимальная
















Тип транзистора





Корпус
























 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PUMB2,115PUMB2,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50B 20MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 100K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMH4,115PUMH4,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB1,135NXP SemiconductorsTRANS ARRAY PNP/PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMH10,115PUMH10,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMD10,115PUMD10,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMH7,115PUMH7,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMB11,135NXP SemiconductorsTRANS ARRAY PNP/PNP SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PUMD12,115PUMD12,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMD3,115PIMD3,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMD2,125NXP SemiconductorsTRANS ARRAY NPN/PNP SC70-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMD2,115PIMD2,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PIMH9,115PIMH9,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IMH11AT110IMH11AT110Rohm SemiconductorTRANS DUAL NPN 50V 50MA SOT-457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IMH2AT110IMH2AT110Rohm SemiconductorTRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMD4,115PEMD4,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH2,115PEMH2,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH13,115PEMH13,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMD14,115PEMD14,115NXP SemiconductorsTRANS PREBIASED DUAL SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH16,115PEMH16,115NXP SemiconductorsTRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH20,115PEMH20,115NXP SemiconductorsTRANS NPN W/RES DUAL SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH30,315NXP SemiconductorsTRANS ARRAY NPN/NPN SOT-666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMD20,115PEMD20,115NXP SemiconductorsTRANS PREBIASED DUAL SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMB4,115PEMB4,115NXP SemiconductorsTRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMD15,115PEMD15,115NXP SemiconductorsTRANS PREBIASED DUAL SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMH19,115PEMH19,115NXP SemiconductorsTRANS NPN W/RES DUAL SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 35  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте