Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FMB3946 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN/PNP 40V SSOT-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 700мВт · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IMT17-7 | Diodes Inc | TRANS PNP DUAL 50V 500MA SOT-26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UMT1NTN | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UMT2NTR | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IMX5T108 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 11V 50MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 11В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 3.2GHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UMZ2NTR | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP 50V 150MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 140MHz, 180MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UMX2NTR | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDTA42-7-F | Diodes Inc | TRANS BIPO NPN DUAL 300MW SOT26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MIMD10A-7-F | Diodes Inc | TRANS PREB NPN/PNP R1/R2 SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMMT5551S-7-F | Diodes Inc | TRANS SS BIPO NPN DUAL SOT-26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FMB2907A | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR PNP 60V SSOT-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 700мВт · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC856S,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMT3T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 50V 150MA EMT6 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC847BVN,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC857BV,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC846S,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PIMT1,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 40V 100MA SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMT1,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 40V 100MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC817DS,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC817DPN,125 | NXP Semiconductors | TRANS NPN/PNP 45V 500MA 6-TSOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 100MHz, 80MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC807DS,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 370mW · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC817DPN,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 600mW · Модуляция частот: 100MHz, 80MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FMB5551 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 160V 600MA SSOT-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 700мВт · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UMX18NTN | Rohm Semiconductor | TRANS COMPLEX DUAL NPN SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 320MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMX1DXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |