Войти Регистрация

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки)

EMT3T2R

EMT3T2R — TRANS DUAL PNP 50V 150MA EMT6 TR

Производитель	Rohm Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	50V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
Ток коллектора (макс)	150mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Мощность макcимальная	150mW
Модуляция частот	140MHz
Тип транзистора	2 PNP (Dual)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	EMT6

Аналогичные по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	EMT1T2R	Rohm Semiconductor	TRANS DUAL PNP 50V 150MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	EMT2T2R	Rohm Semiconductor	TRANS DUAL PNP 50V 150MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	UMT2NTR	Rohm Semiconductor	TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	UMT1NTN	Rohm Semiconductor	TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте