Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SSM2210S-REEL | Analog Devices | IC TRANS AUDIO DUAL NPN 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SSM2210S | Analog Devices | IC TRANSISTOR AUDIO MATCH 8SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
DMMT5551-TP | Micro Commercial Co | TRANSISTOR NPN 200MA 160V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NST3906DXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMPQ2222AR1 | ON Semiconductor | TRANS SS GP NPN QUAD 40V 16SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 350MHz · Тип транзистора: 4 NPN (Quad) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
EMZ1DXV6T5 | ON Semiconductor | TRANS NPN GP/PNP DUAL SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz, 180MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDT6702TA | Diodes/Zetex | TRANS DARL NPN/PNP 60V 1.75A SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A · Ток коллектора (макс): 1.75A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: NPN, PNP Darlington (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
EMZ1DXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz, 120MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDT619TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN DUAL 50V 2A MED SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Модуляция частот: 165MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDT6758TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN/PNP 400V 0.5A SOT223-8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Ток коллектора (макс): 500mA · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
XP0555500L | Panasonic - SSG | TRANS ARRAY NPN/NPN SMINI-6P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 500MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 6P | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDT651TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN DUAL 60V 2A MED SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 175MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MAT02EH | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO DUAL LN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDT717TA | Diodes/Zetex | TRANS DARL PNP DUAL 12V 2.5A SM8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 2.5A, 50mA · Ток коллектора (макс): 2.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Модуляция частот: 110MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
EMT1DXV6T5 | ON Semiconductor | TRANS PNP GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXTD4591E6TC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR NPN/PNP 60V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
LM394BH/NOPB | National Semiconductor | IC SUPERMATCH PAIR TO-5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-5 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BC 856S E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR PNP AF 65V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MBT3906DW1T1 | ON Semiconductor | TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |