Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFS 460L6 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 14.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-6-1 · Compression Point (P1dB): 12dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFS 380L6 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR GP BJT NPN 6V TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 12dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 3V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-6-1 · Compression Point (P1dB): 11.5dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR 360L3 E6765 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 9dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BF 770A E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 90mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 380L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 16dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 193W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 20.5dB ~ 13.5dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS 17W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 15V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 420 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 650F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 17.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 460 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 50MA SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS 481 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 460L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 11.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 520F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.5V · Модуляция частот: 45GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz · Усиление: 22.5dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 10.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 182W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP620E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 2.3V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 65GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 185mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 14.5dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR 183 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP450E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 24GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 19dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 182 E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 183W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 181W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BF 799W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.1GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 181 E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 21dB ~ 17.5dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS 360L6 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN 6V 35MA TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 14.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-6-1 · Compression Point (P1dB): 9dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFS 17P E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 · Compression Point (P1dB): 10dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 405 E6740 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 55mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 12mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |