Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFR 182T E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFP 650 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 37GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB ~ 10.5dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 18dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 196 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 193 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 15dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 193L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB ~ 12.5dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG 235 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz · Усиление: 12.5dB · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V · Ток коллектора (макс): 300mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFP 540 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 181 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18.5dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 949T E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF BIP SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFQ 19S E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz · Усиление: 11.5dB ~ 7dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V · Ток коллектора (макс): 210mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP405E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 55mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 12mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 740L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 11dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFP 420F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 19.5dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 10.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BF 775 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 45mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 193 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP420E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 182 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 183 E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 193W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG 193 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFS 17P E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 · Compression Point (P1dB): 10dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS 483 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 65mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR 360L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 9dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR 181T E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFG 19S E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V · Ток коллектора (макс): 210mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |