Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFP 460 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 50MA SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 17.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP520E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 2.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.5V · Модуляция частот: 45GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz · Усиление: 23.5dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 520F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.5V · Модуляция частот: 45GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz · Усиление: 22.5dB · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 10.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 540 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 540ESD E6327 | Infineon Technologies | TRANS RF NPN 4.5V ESD SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 540F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP540FESDE6327 | Infineon Technologies | TRANS RF NPN 4.5V 80MA TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP620E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 2.3V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 65GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 185mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 14.5dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFP 620 E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 2.3V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 65GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 185mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 14.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 620F E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 2.3V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 65GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 185mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 14dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 640 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN SIGE RF SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 40GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 13dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP640FE6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 40GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-TSFP · Compression Point (P1dB): 13.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP650 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 4V 150MA SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 37GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 18dBm | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFP 650 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 37GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB ~ 10.5dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 18dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 650F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21.5dB ~ 11dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 17.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 740 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 30MA SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 27dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 740F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 30MA TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 27.5dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ149,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 15V 100MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.75dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 70mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ18A,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 18V 150MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Модуляция частот: 4GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ19,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ 19S E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz · Усиление: 11.5dB ~ 7dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V · Ток коллектора (макс): 210mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ31ATA | Diodes/Zetex | TRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFQ31ATC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFQ540,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 12V 9GHZ SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFQ591,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 7GHz · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 2.25W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |